Saç telinden daha ince ama dünyadaki tüm telefonlar bağlı olacak

Intel Foundry, dünyanın en ince GaN çipletini duyurdu.

Yapılan açıklamada boyutu 19µm olarak aktarılan GaN çiplet dünyanın en ince çipleti olsa da kapsama alanı oldukça geniş.

Yapay zeka veri merkezlerinden 5G/6G teknolojisine kadar pek çok alanı kapsaması bekleniyor.

Yarı iletken teknolojileri alanında rekabet devam ederken Intel devrim niteliğinde bir gelişmeyi duyurdu.

Şirketin üretim kolu olarak çalışan Intel Foundry, kalınlığı bir saç telinden daha az olan dünyanın en ince GaN (Galyum Nitrür) çipletini geliştirdiğini açıkladı.

Bu gelişmenin duyurulması özellikle güç verimliliği ve yoğunluk açılarından yeni bir eşiğin açılması anlamına gelmekte.

DÜNYANIN EN İNCE ÇİPLETİ DUYURULDU Duyurulan yeni çiplet, genişliği 300 mm olan GaN-on-silicon wafer üzerinde üretiliyor.

Klasik silikon çözümlerine kıyasla çok daha ince bir yapıya sahip olabilmesini sağlayan da bu.

Intel tarafındna paylaşılan teknik detaylara göre bu kalınlık insan saç teinin yalnızca 4'te biri kadar.

Intel'in yeni çiplet ile ilgili en çok dikkat çektiği nokta ise inceliği değil.

Intel, GaN transistörleri direkt olarak silikon tabana sahip dijital devrelerle tek bir yonga üzerinde birleştirmeyi başardı.

Bu sayede ayrı bir yardımcı çip ihtiyacını ortadan kalkıyor ve hem gecikme hem enerji kaybı azalıyor.

GaN tabanlı yeni yapı, özellikle yapay zeka veri merkezleri ve 5G/6G teknolojileri için kritik avantajlar sağlayabilir.

Yeni çipletin kullanılmasıyla daha yüksek anahtarlama hızları ve daha düşük enerji kaybı sağlanarak güç dağıtımının daha verimli hale gelmesi mümkün.

Bu da demek oluyor ki işlemcilere daha yakın şekilde konumlandırılan daha küçük ve etkili voltaj düzenleyicilerin yolu açılabilecek.

VERİ MERKELERİ VE 5G TEKNOLOJİSİNDE KRİTİK ÖNEM Çalışma prensibi sayesinde yeni çipletin kullanılması 5G ve 6G altyapılarında kullanılan RF bileşenlerinin GaN'ın yüksek frekans performansı bakımından ciddi avantaj sağlayacak.

Yeni çipletin 200 GHz ve üzeri frekanslarda da çalışabilmesi bu teknolojiyi yeni nesil iletişim sistemleri için güçlü aday konumuna yükseltiyor.

Geleneksel tip silikon tabanlı çözümler yüksek sıcaklıklarda kararlılığını kaybediyor.

GaN is daha geniş bant aralığına sahip olmasından dolayı yüksek sıcaklıklarda kolayca çalışmaya devam edebiliyor.

Bu durum ise özellikle veri merkezleri, otomotiv ve ağ altyapısı gibi yoğun yük altında çalışan elektronik sistemlerde daha stabil yapı kazanımı demek oluyor.